RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
50
Intorno -72% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
29
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3030
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link