RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3030
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link