RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3266
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link