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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
50
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
38
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2439
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT8GC72B4NB1NK-CG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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