RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
50
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
25
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2975
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link