RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
50
左右 -100% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,457.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
25
读取速度,GB/s
3,757.3
14.7
写入速度,GB/s
1,457.4
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
557
2975
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM的比较
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link