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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
50
Intorno -127% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
22
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3929
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
SK Hynix HMT41GR7MFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
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