RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
50
Около -127% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.0
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
19.0
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3929
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 99U5584-009.A00LF 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378B5273TB0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link