RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
12.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
87
Intorno -135% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
37
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3075
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link