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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
87
Rund um -135% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3075
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calculate
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