RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
87
Intorno -181% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
31
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3649
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link