RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
87
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3649
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link