RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
20.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
87
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
20.5
Скорость записи, Гб/сек
870.4
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
3649
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 994104 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link