RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
53
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
26
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
3648
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link