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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
53
左右 -104% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.3
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
26
读取速度,GB/s
3,726.4
19.4
写入速度,GB/s
1,590.1
15.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
3648
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB RAM的比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
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