RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
53
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
7.7
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
39
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
1768
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link