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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Confronto
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
53
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
7.7
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.8
1,590.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
53
39
Velocità di lettura, GB/s
3,726.4
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,590.1
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
522
1768
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Confronto tra le RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX424C15FB/8 8GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
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