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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
42
Intorno 40% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
42
Velocità di lettura, GB/s
12.5
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
2701
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
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