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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
31
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
31
Velocità di lettura, GB/s
12.5
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
3100
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-CK0 8GB
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