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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
比较
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
总分
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
12.5
17.2
写入速度,GB/s
8.4
12.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2180
3100
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAM的比较
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
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