RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Confronto
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Punteggio complessivo
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
71
Intorno 65% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
12.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
71
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2051
1650
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link