RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
71
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.2
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
71
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.2
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2051
1650
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link