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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

総合得点
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    52 left arrow 60
    周辺 13% 低遅延
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2.8 left arrow 1,145.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 4200
    周辺 4.05 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 60
  • 読み出し速度、GB/s
    2,614.5 left arrow 7.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,145.9 left arrow 2.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    409 left arrow 1505

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