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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
総合得点
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
総合得点
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
17.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
52
周辺 -58% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
12.0
1,145.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
4200
周辺 6.1 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
52
33
読み出し速度、GB/s
2,614.5
17.6
書き込み速度、GB/秒
1,145.9
12.0
メモリ帯域幅、mbps
4200
25600
Other
商品説明
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
409
2910
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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