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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
52
左右 -58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
4200
左右 6.1 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
33
读取速度,GB/s
2,614.5
17.6
写入速度,GB/s
1,145.9
12.0
内存带宽,mbps
4200
25600
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2910
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
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Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
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