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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
総合得点
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
総合得点
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
13.4
テスト平均値
考慮すべき理由
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
66
周辺 -120% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
6.9
1,557.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
66
30
読み出し速度、GB/s
2,775.5
13.4
書き込み速度、GB/秒
1,557.9
6.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
382
2081
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAMの比較
Qimonda ITC 1GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5402-027.A01LF 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
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