RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
比較する
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
11.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
46
周辺 -48% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
2,061.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
31
読み出し速度、GB/s
4,937.3
11.8
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
8.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
759
2354
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB RAMの比較
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link