RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2354
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link