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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
19.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
15.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
46
周辺 -130% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
20
読み出し速度、GB/s
4,937.3
19.4
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
15.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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