RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston 99U5713-002.A00G 4GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB

Kingston 99U5713-002.A00G 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 11.7
    テスト平均値
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB 考慮すべき理由
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 46
    周辺 -100% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 16.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 2605

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

Kingston 99U5713-002.A00G 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
メモリRAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
メモリRAM