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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
総合得点
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
46
周辺 26% 低遅延
考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
11
8.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
5.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
34
46
読み出し速度、GB/s
8.6
11.0
書き込み速度、GB/秒
5.8
9.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1682
2396
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