RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
46
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
46
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
11.0
Скорость записи, Гб/сек
5.8
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2396
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link