RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 11.0
    テスト平均値
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 46
    周辺 -39% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 11.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 2774

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB
Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
メモリRAM