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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

総合得点
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

総合得点
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Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,857.7 left arrow 1,842.2
    テスト平均値
Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB 考慮すべき理由
Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    50 left arrow 69
    周辺 -38% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 4
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    4,217.2 left arrow 4,386.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,857.7 left arrow 1,842.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    668 left arrow 718

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