RAM-Vergleich Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

1,857.7 1,842.2

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

50 69

Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 4

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

668 718

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns