Comparação RAM Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Pontuação geral

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

1,857.7 1,842.2

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

50 69

Por volta de -38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

4 4

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

668 718

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns