Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Większa szybkość zapisu, GB/s

1,857.7 1,842.2

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

50 69

Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

4 4

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

668 718

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns