Comparación de la memoria RAM Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Puntuación global

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

1,857.7 1,842.2

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

50 69

En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 4

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

668 718

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns