Confronto tra le RAM Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

1,857.7 1,842.2

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

50 69

Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

4 4

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Intg. Silicon Solutions MLLSE 800 2GB 2GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

668 718

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns