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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
総合得点
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
18.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,061.2
14.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
19
46
周辺 -142% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
19
読み出し速度、GB/s
4,937.3
18.7
書き込み速度、GB/秒
2,061.2
14.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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