RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 101
    周辺 54% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.2
    テスト平均値
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.0 left arrow 2,061.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 101
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 14.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 7.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 1313

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
メモリRAM