RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
star star star star star
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 14.4
    テスト平均値
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB 考慮すべき理由
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 46
    周辺 -77% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 14.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 3068

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
メモリRAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
メモリRAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
メモリRAM