RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

AMD R538G1601U2S-UGO 8GB vs Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

総合得点
star star star star star
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB

AMD R538G1601U2S-UGO 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R538G1601U2S-UGO 8GB 考慮すべき理由
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 42
    周辺 36% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.4 left arrow 9.0
    テスト平均値
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 12.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.4 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2507 left arrow 2011

AMD R538G1601U2S-UGO 8GB RAMの比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB RAMの比較

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
メモリRAM