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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

総合得点
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AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

AMD R5S38G1601U2S 8GB 考慮すべき理由
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 37
    周辺 -61% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 15.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 9.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    15.4 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.2 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2581 left arrow 3004

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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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