RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB

総合得点
star star star star star
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB 考慮すべき理由
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 26
    周辺 -13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.6 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 20.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 16.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2174 left arrow 3819

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAMの比較

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
メモリRAM
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X2G64CB88G7N-DG 2GB
Nanya Technology M2X2G64CB88G7N-DG 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
メモリRAM