RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Comparar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Pontuação geral
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
26
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
23
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2174
3819
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link