RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3819
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link