RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
比較する
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
総合得点
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
総合得点
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
76
周辺 66% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
12.6
10.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.5
6.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
76
読み出し速度、GB/s
12.6
10.3
書き込み速度、GB/秒
9.5
6.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2174
1260
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAMの比較
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB RAMの比較
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link