RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
76
Около 66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
76
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
10.3
Скорость записи, Гб/сек
9.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
1260
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link