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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
76
Intorno 66% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
10.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
76
Velocità di lettura, GB/s
12.6
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
1260
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
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