RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

総合得点
star star star star star
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB 考慮すべき理由
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 44
    周辺 41% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 8.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 5.6
    テスト平均値
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 44
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 8.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 5.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2174 left arrow 1660

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAMの比較

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
メモリRAM